BLDC三相直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)專題一-300W設(shè)計(jì)問(wèn)題一招解決

# DC無(wú)刷#電機(jī)# #電源#

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作者簡(jiǎn)介：開(kāi)玩笑圍攻獅電子專業(yè)，15年R&D工作經(jīng)驗(yàn)，設(shè)計(jì)技術(shù)。文章簡(jiǎn)潔，一篇文章解決一個(gè)R&D設(shè)計(jì)問(wèn)題，實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，快速解決產(chǎn)品設(shè)計(jì)中遇到的問(wèn)題，為您創(chuàng)造價(jià)值！

（1）設(shè)計(jì)線路圖、PCB layout圖：

300W三相DC無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路圖

300W DC無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)PCB前部

300W DC無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)PCB底面

（2）樣機(jī)調(diào)試問(wèn)題點(diǎn)：

PTC驅(qū)動(dòng)IC，載波16KHz，電流800mA，感性負(fù)載，開(kāi)關(guān)有明顯超調(diào)時(shí)會(huì)對(duì)控制部分造成很大干擾。負(fù)載不大，短路電流小于3A(工作電流1A)。Rg電阻調(diào)節(jié)在100V時(shí)，沒(méi)有過(guò)沖，上下只有250mV，沒(méi)有過(guò)沖干擾。如果電壓繼續(xù)上升，就會(huì)出現(xiàn)過(guò)沖，進(jìn)而干擾電源電壓爆機(jī)。司機(jī)直接炸了，MOS G-S壞了，沒(méi)炸。

（3）解決方案：

原本設(shè)計(jì)的MOS TO-252封裝了6個(gè)650V 360mR Max，F(xiàn)RD Trr:330nS換成了650V 380mR Max和FRD Trr:115nS，完美解決了問(wèn)題。

（4）電機(jī)驅(qū)動(dòng)MOS選擇注意事項(xiàng)：

為了方便采購(gòu)、助理、銷售和技術(shù)初學(xué)者，一個(gè)名詞解釋：FRD MOS體二極管恢復(fù)快，反向恢復(fù)時(shí)間為T(mén)rr nS。原則上，值越小越好。

高壓電機(jī)應(yīng)用MOS選擇：

導(dǎo)通電阻Rds相同、封裝平面相同的高壓VDMOS比超級(jí)結(jié)MOS更耐折騰和沖擊。重要的事情說(shuō)三遍：帶FRD、帶FRD、帶FRD。

(IGBT方案對(duì)電機(jī)功率相對(duì)較高的驅(qū)動(dòng)也有用，與本文無(wú)關(guān)。很幸運(yùn)看到這篇文章，學(xué)到的都是自己的。我想我當(dāng)初是不得不偷的)。

低壓電機(jī)應(yīng)用MOS選擇：

具有相同導(dǎo)通電阻Rds和相同封裝的溝槽工藝比SGT工藝MOS更耐折騰和沖擊。

重要的事情說(shuō)三遍：MOS工藝與帶FRD、MOS工藝與帶FRD、MOS工藝與帶FRD。